Simone Gerardin si è laureato con lode in Ingegneria Elettronica nel 2003 e ha conseguito un dottorato in Ingegneria Elettronica e delle Telecomunicazioni nel 2007, in entrambi i casi presso l'Università di Padova, dove è attualmente Professore Associato di Elettronica.
Le sue ricerche sono state incentrate sugli errori soft e hard indotti dalla radiazione ionizzante in tecnologie CMOS avanzate e nelle loro interazioni con l'invecchiamento dei dispositivi e le scariche elettrostatiche. Durante la sua carriera, ha lavorato su svariate tecnologie e dispositivi, dai deep-submicron MOSFET, FinFET, tunnel FET fino ai microprocessori e alle Field Programmable Gate Arrays (FPGA). Negli ultimi anni, il suo lavoro si è focalizzato sulle memorie non volatili (incluse le celle a gate flottante con architettura 3D, a intrappolamento di carica, resistive e a cambiamento di fase) e sugli effetti di ultra-high dose sui MOSFET per esperimenti di fisica delle alte energie.
Ha preso parte a diversi progetti italiani ed europei e collaborato con agenzie spaziali (ESA-ESTEC, NASA-JPL, ASI), istituti di ricerca (CERN, RAL, IMEC, INFN), Università e aziende di semiconduttori e spaziali (STMicroelectronics, Numonyx, Micron, Actel, Thales Alenia Space), in Europa e negli Stati Uniti.
E' autore o co-autore di circa cento articoli scientifici pubblicati su riviste internazionali con revisione tra pari e più di 100 presentazioni a conferenza, dodici delle quali hanno ricevuto premi internazionali alla RADiation and its Effects on Components and Systems (RADECS) 2007, Nuclear Space Radiation Effects Conference (NSREC) 2008, RADECS 2008, NSREC 2009, RADECS 2010 (2), NSREC 2013, NSREC 2014, RADECS 2016 (2), NSREC 2017 (2).
Ha anche scritto tre capitoli di libro ed è stato editor di un libro sugli effetti della radiazione ionizzante sull'elettronica pubblicato da CRC press.
Ha presentato seminari e interventi su invito sulle sue ricerche a Università, centri di ricerca e aziende negli USA, in Cina, Brasile e in Europa.
E' stato un istruttore ai corsi brevi di RADECS 2009 in Belgio, NSREC 2010 negli USA, RADECS 2015 in Russia. E' stato session chair a RADECS, a NSREC, e alla European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF).
Ha organizzato un workshop tematico sulle memorie non volatili per lo spazio in Austria nel 2010. E' stato short course chair a NSREC 2018 e technical program chair a NSREC 2019. E' stato general chair di RADECS 2022.
Dal 2014 al 2017 è stato membro eletto del Radiation Effects Steering Group della Nuclear Plasma Science Society dell'IEEE.
Dal 2010 al 2018 è stato associate editor per le IEEE Transactions on Nuclear Science, nel 2015 è stato guest editor per Semiconductor Science Technology, oltre ad essere revisore per svariate pubblicazioni scientifiche.
Nel 2020 ha ottenuto l'abilitazione nazionale a professore ordinario (prima fascia).

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